Target sputtering aluminium nitrida (aluminum nitride sputtering target) ini berbentuk cakram berdiameter 1'' dengan ketebalan 0,125'' dan kemurnian 99,8%, dirancang untuk deposisi lapisan tipis AlN pada sistem sputter coating. Dalam proses sputtering, material dari target dikikis lalu diendapkan pada substrat seperti wafer silikon. Prosesnya dapat diulang dan ditingkatkan skalanya, dari riset hingga substrat berukuran sedang sampai besar.
AlN memiliki kombinasi sifat fisik, kimia, dan mekanik yang sangat baik. Celah pita lebar (~6,2 eV), indeks bias tinggi (~2,0), dan koefisien absorpsi rendah (<10−3) menjadikan lapisan AlN menarik untuk perangkat optik, optoelektronik, dan sensor, sementara stabilitas termal dan kimianya cocok untuk lingkungan yang berat.
Sifat lapisan bergantung pada struktur kristal, orientasi, mikrostruktur, dan komposisi, yang dipengaruhi oleh daya sputtering, frekuensi pulsa, duty cycle, suhu pertumbuhan, rasio aliran nitrogen/argon, serta tekanan gas. Target AlN memberikan hasil baik pada sistem reactive DC magnetron sputtering.
- Deposisi lapisan tipis dan pelapis AlN dengan magnetron sputtering.
- Pembuatan lapisan untuk perangkat optik dan optoelektronik.
- Produksi lapisan AlN untuk sensor dan perangkat lainnya.
- Pelapis untuk aplikasi yang membutuhkan stabilitas termal dan kimia di lingkungan berat.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,8% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01AL36
- Material: Aluminium Nitrida (AlN)
- Ukuran: 1''
- Ketebalan: 0,125''
- Celah pita: ~6,2 eV
- Indeks bias: ~2,0
- Metode yang disarankan: Reactive DC magnetron sputtering
- Kode produk: NG0ST01AL36
—
—