Target sputtering aluminium nitrida (aluminum nitride sputtering target) ini berbentuk cakram berdiameter 3'' dengan ketebalan 0,125'' dan kemurnian 99,8%, digunakan untuk menumbuhkan lapisan tipis AlN melalui proses sputtering. Pada metode ini, material dari target terkikis lalu diendapkan pada substrat seperti wafer silikon. Prosesnya dapat diulang dengan konsisten dan mudah ditingkatkan dari skala riset hingga produksi dengan area substrat menengah sampai besar.
Aluminium nitrida memiliki kombinasi sifat fisik, kimia, dan mekanik yang sangat baik. Celah pita yang lebar (~6,2 eV), indeks bias tinggi (~2,0), dan koefisien absorpsi rendah (<10−3) menjadikan lapisan AlN menarik untuk perangkat optik, optoelektronik, dan sensor. Stabilitas termal dan kimianya juga membuatnya cocok untuk lingkungan yang menantang.
Karakteristik lapisan bergantung pada struktur dan orientasi kristal, mikrostruktur, serta komposisi kimia, yang dipengaruhi oleh daya sputtering, frekuensi pulsa, duty cycle, suhu pertumbuhan, rasio aliran nitrogen/argon, dan tekanan gas. Target AlN memberikan hasil baik pada sistem reactive DC magnetron sputtering.
- Deposisi lapisan tipis aluminium nitrida pada substrat seperti wafer silikon.
- Pembuatan lapisan AlN untuk perangkat optik dan optoelektronik.
- Pembuatan pelapis AlN untuk sensor dan perangkat di lingkungan termal atau kimia yang berat.
- Proses reactive DC magnetron sputtering untuk menumbuhkan lapisan AlN.
- Sputter etching ketika dibutuhkan anisotropi etsa yang tinggi.
- Metode analisis permukaan seperti spektrometri massa ion sekunder (SIMS).
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,8% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01AL40
- Material: Aluminium Nitrida (AlN)
- Ukuran: 3''
- Ketebalan: 0,125''
- Kode produk: NG0ST01AL40
—
—