Target sputtering aluminium nitrida (aluminum nitride sputtering target) ini berbentuk cakram berukuran 3'' dengan ketebalan 0,250'' dan kemurnian 99,8%. Target ini menjadi bahan sumber untuk mendeposisikan lapisan tipis (thin film) dan pelapis AlN pada substrat seperti wafer silikon, serta memberikan hasil baik pada sistem reactive DC magnetron sputtering.
AlN memiliki perpaduan sifat fisik, kimia, dan mekanik yang unggul. Celah pita lebar (~6,2 eV), indeks bias tinggi (~2,0), dan koefisien absorpsi rendah (<10−3) menjadikan lapisan AlN menarik untuk perangkat optik, optoelektronik, dan sensor, sementara stabilitas termal dan kimianya membuatnya cocok untuk lingkungan yang berat.
Proses sputtering bersifat dapat diulang dan dapat ditingkatkan skalanya dari riset skala kecil hingga batch produksi dengan area substrat menengah sampai besar. Sifat lapisan akhir, seperti struktur kristal, orientasi, mikrostruktur, dan komposisi, ditentukan oleh kondisi deposisi, antara lain daya sputtering, frekuensi pulsa, duty cycle, suhu pertumbuhan, rasio aliran nitrogen/argon, dan tekanan gas sputtering.
- Deposisi lapisan tipis dan pelapis aluminium nitrida dengan reactive DC magnetron sputtering.
- Pembuatan lapisan AlN untuk perangkat optik dan optoelektronik.
- Produksi lapisan AlN untuk sensor dan perangkat lapisan tipis lainnya.
- Pelapisan untuk lingkungan berat yang menuntut stabilitas termal dan kimia.
- Riset dan pengembangan pertumbuhan lapisan tipis yang dapat ditingkatkan ke skala produksi.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,8% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01AL41
- Material: Aluminium Nitrida (AlN)
- Ukuran: 3''
- Ketebalan: 0,250''
- Celah pita: ~6,2 eV
- Indeks bias: ~2,0
- Metode yang disarankan: Reactive DC magnetron sputtering
- Kode produk: NG0ST01AL41
—
—