Target sputtering aluminium nitrida (aluminum nitride sputtering target) ini merupakan bahan sumber untuk membuat lapisan tipis AlN melalui proses sputtering. Kemurniannya 99,8%, dengan ukuran 4'' dan ketebalan 0,250''. Pada deposisi sputter, material dari target terkikis lalu diendapkan ke substrat, misalnya wafer silikon. Prosesnya mudah diulang dan dapat ditingkatkan dari skala riset hingga batch produksi dengan area substrat menengah sampai besar.
AlN memiliki kombinasi sifat fisik, kimia, dan mekanik yang sangat baik. Celah pita lebar (~6,2 eV), indeks bias tinggi (~2,0), dan koefisien absorpsi rendah (<10−3) menjadikan lapisan AlN menarik untuk perangkat optik, optoelektronik, dan sensor. Stabilitas termal dan kimianya juga cocok untuk lingkungan yang berat.
Sputtering magnetron banyak dipakai untuk menumbuhkan lapisan AlN karena sederhana, reprodusibel, dan mudah diperbesar skalanya. Sifat lapisan bergantung pada kondisi deposisi seperti daya sputtering, frekuensi pulsa, duty cycle, suhu pertumbuhan, rasio aliran nitrogen/argon, dan tekanan gas. Target AlN memberikan hasil baik pada sistem sputtering magnetron DC reaktif.
- Deposisi lapisan tipis aluminium nitrida pada substrat seperti wafer silikon.
- Pembuatan lapisan AlN untuk perangkat optik dan optoelektronik.
- Produksi pelapis AlN untuk sensor dan perangkat lainnya.
- Pelapisan untuk lingkungan berat yang memerlukan stabilitas termal dan kimia.
- Proses sputtering magnetron DC reaktif untuk penumbuhan lapisan AlN.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,8% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01AL43
- Material: Aluminium Nitrida (AlN)
- Ukuran: 4''
- Ketebalan: 0,250''
- Celah pita: ~6,2 eV
- Indeks bias: ~2,0
- Kode produk: NG0ST01AL43
—
—