Target sputtering aluminium oksida (aluminum oxide sputtering target) Al2O3 ini memiliki kemurnian 99,99%, ukuran 2'' dan ketebalan 0,125''. Target ini menjadi bahan sumber untuk deposisi lapisan tipis (thin film) Al2O3 melalui sputtering, yaitu proses pengikisan material dari target lalu diendapkan ke substrat seperti wafer silikon. Prosesnya dapat diulang dengan konsisten dan dapat ditingkatkan dari skala riset hingga batch produksi dengan area substrat menengah sampai besar.
Al2O3 merupakan senyawa aluminium dan oksigen yang dikenal inert secara kimia, keras, kuat secara mekanis, tahan abrasi dan korosi, serta memiliki medan tembus listrik dan konstanta dielektrik yang tinggi. Lapisan yang dihasilkan juga transparan dan bersifat isolator, sehingga cocok untuk aplikasi mekanis, optik, dan mikroelektronik.
Sifat lapisan bergantung pada parameter sputtering seperti laju sputtering, jarak target ke substrat, dan tekanan gas reaktif, sehingga pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan dapat dikendalikan dengan baik.
- Deposisi lapisan dielektrik dan film isolator pada mikroelektronik.
- Pembuatan lapisan pelindung dengan kekerasan dan ketahanan abrasi tinggi.
- Pembentukan penghalang difusi (diffusion barrier) dan segel elektronik.
- Pembuatan lapisan optik untuk perangkat optoelektronik.
- Riset lapisan tipis di bidang tribologi, sensor, dan nanolitografi.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,99% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01AL52
- Material: Aluminium Oksida (Al2O3)
- Ukuran: 2''
- Ketebalan: 0,125''
- Kode produk: NG0ST01AL52
—
—