Target sputtering aluminium oksida (aluminum oxide sputtering target) ini memiliki kemurnian 99,999%, ukuran 6'' dan ketebalan 0,250'', dan digunakan untuk menumbuhkan lapisan tipis (thin film) Al2O3 melalui deposisi sputter. Dalam proses ini, material dikikis dari target lalu diendapkan pada substrat seperti wafer silikon. Prosesnya dapat diulang dengan konsisten dan dapat ditingkatkan dari skala riset hingga batch produksi dengan area substrat menengah hingga besar.
Aluminium oksida merupakan senyawa aluminium dan oksigen yang dikenal keras, bertitik leleh tinggi, dan inert secara kimia. Lapisan Al2O3 menawarkan kekuatan mekanis, transparansi, ketahanan tinggi terhadap abrasi dan korosi, medan tembus listrik (breakdown field) tinggi, konstanta dielektrik tinggi, serta sifat isolasi dan optik yang baik.
Sifat akhir lapisan dipengaruhi parameter sistem sputtering seperti laju sputtering, jarak target ke substrat, dan tekanan gas reaktif, sehingga pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan dapat diatur sesuai kebutuhan aplikasi mekanis, optik, maupun mikroelektronik.
- Deposisi lapisan dielektrik dan isolator Al2O3 untuk perangkat mikroelektronik.
- Pelapisan pelindung yang tahan aus dan korosi pada komponen mekanis.
- Lapisan optik yang memanfaatkan transparansi film aluminium oksida.
- Penghalang difusi (diffusion barrier) dan segel elektronik dalam fabrikasi perangkat.
- Riset lapisan tipis untuk optoelektronik, tribologi, sensor, dan nanolitografi.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,999% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01AL67
- Material: Aluminium Oksida (Al2O3)
- Ukuran: 6''
- Ketebalan: 0,250''
- Kode produk: NG0ST01AL67
—
—