Target sputtering bismut ferit (bismuth ferrite sputtering target) BiFeO3 ini memiliki kemurnian 99,9%, diameter 7'' dan ketebalan 0,125'', dirancang untuk deposisi lapisan tipis (thin film) dengan metode sputtering. Proses sputtering bersifat berulang (repeatable), dapat diterapkan pada substrat berbagai bentuk dan ukuran, serta dapat ditingkatkan dari skala riset hingga produksi dengan area substrat menengah hingga besar.
BiFeO3 merupakan senyawa anorganik berstruktur perovskit dan salah satu material multiferoik paling menjanjikan. Target ini umumnya dibuat melalui sintering atau rekristalisasi suhu tinggi dari campuran oksida Bi dan Fe sehingga diperoleh material satu fasa. Pengikatan indium (indium bonding) disarankan untuk target ini.
Sebagai material feroelektrik bebas timbal, bismut ferit dikenal dengan polarisasi remanen yang besar, suhu Curie tinggi, dan suhu Neel antiferomagnetik tinggi, serta memiliki sifat magnetik dan feroelektrik pada suhu ruang maupun di atasnya. Celah pita langsung 3,3 eV menjadikannya menarik untuk studi efek fotovoltaik feroelektrik.
- Deposisi sputtering lapisan tipis multiferoik BiFeO3 pada substrat seperti wafer silikon.
- Pembuatan lapisan feroelektrik bebas timbal untuk riset efek fotovoltaik feroelektrik.
- Proses sputter etching yang membutuhkan anisotropi etsa tinggi.
- Penelitian material dengan sifat magnetik dan feroelektrik pada suhu ruang.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,9% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01BI32
- Material: Bismut Ferit (BiFeO3)
- Ukuran: 7''
- Ketebalan: 0,125''
- Struktur: Perovskit
- Celah pita: 3,3 eV (langsung)
- Pengikatan yang disarankan: Pengikatan indium
- Kode produk: NG0ST01BI32
Pengikatan indium (indium bonding) disarankan saat memasang target sputtering bismut ferit.
—