Target sputtering bismut ferit (bismuth ferrite sputtering target) BiFeO3 ini berkemurnian 99,9%, berukuran 8'' dengan ketebalan 0,250'', dan digunakan untuk mendeposisikan lapisan tipis (thin film) melalui proses sputtering. Material dikikis dari target lalu diendapkan pada substrat seperti wafer silikon. Proses ini dapat diulang dengan konsisten, dapat ditingkatkan dari skala riset hingga substrat berukuran sedang sampai besar, serta memberi kendali yang luas atas pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan.
Bismut ferit merupakan senyawa anorganik berstruktur perovskit dan termasuk material multiferoik yang paling menjanjikan. Target ini umumnya dibuat melalui sintering atau rekristalisasi suhu tinggi dari campuran oksida bismut dan besi sehingga diperoleh material satu fasa. Disarankan menggunakan indium bonding.
Sebagai material feroelektrik bebas timbal, BiFeO3 dikenal memiliki polarisasi remanen besar, suhu Curie tinggi, dan suhu Neel antiferomagnetik tinggi, serta mungkin satu-satunya material yang bersifat magnetik sekaligus feroelektrik pada suhu ruang dan di atasnya. Dengan celah pita langsung 3,3 eV, lapisannya sangat cocok untuk studi efek fotovoltaik feroelektrik.
- Deposisi lapisan tipis bismut ferit pada substrat seperti wafer silikon.
- Riset lapisan tipis multiferoik dan feroelektrik bebas timbal.
- Studi efek fotovoltaik feroelektrik pada lapisan BiFeO3.
- Sputter etching yang membutuhkan anisotropi etsa tinggi.
- Teknik analisis material seperti spektrometri massa ion sekunder (SIMS).
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | BiFeO3 |
| Kemurnian | 99,9% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01BI35
- Ukuran: 8''
- Ketebalan: 0,250''
- Struktur: Perovskit
- Celah pita: 3,3 eV (langsung)
- Bonding yang disarankan: Indium bonding
- Kode produk: NG0ST01BI35
—
—