Target sputtering bismut oksida (bismuth oxide sputtering target) Bi2O3 dari Nanografi ini memiliki kemurnian 99,9%, ukuran 2'' dan ketebalan 0,250'', dipasok per satu keping untuk membuat lapisan tipis Bi2O3. Pada proses sputtering, material dikikis dari target lalu diendapkan ke substrat seperti wafer silikon. Prosesnya dapat diulang dengan konsisten dan ditingkatkan skalanya dari riset kecil hingga produksi pada substrat berukuran sedang sampai besar.
Bi2O3 termasuk senyawa bismut terpenting dan banyak diteliti karena celah energinya 2 hingga 4 eV, indeks biasnya, serta konduktivitas ion oksigen yang tinggi pada suhu menengah dan tinggi. Senyawa ini memiliki polimorf α, β, γ dan δ; hanya fase α monoklinik suhu rendah dan fase δ kubik berpusat muka suhu tinggi yang stabil.
Material ini umum dideposisikan dengan magnetron sputtering yang menghasilkan laju deposisi tinggi serta lapisan padat dan melekat kuat. Lapisan bismut oksida diminati untuk elektrolit sel bahan bakar oksida padat, sensor oksigen dan gas, lapisan optik, serta fotokatalis di bawah cahaya tampak.
- Deposisi lapisan tipis bismut oksida pada substrat seperti wafer silikon melalui sputtering.
- Riset lapisan elektrolit untuk sel bahan bakar oksida padat (SOFC) berkat konduktivitas ion oksigen yang tinggi.
- Pembuatan sensor oksigen dan sensor gas.
- Lapisan optik dan perangkat optoelektronik yang memanfaatkan indeks bias tinggi Bi2O3.
- Riset sel surya dan lapisan fotokatalis untuk disosiasi air serta dekontaminasi di bawah cahaya tampak.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,9% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 keping |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01BI42
- Material: Bismut Oksida (Bi2O3)
- Ukuran: 2''
- Ketebalan: 0,250''
- Celah energi: 2 hingga 4 eV
- Kode produk: NG0ST01BI42
—
—