Target sputtering bismut oksida (bismuth oxide sputtering target) Bi2O3 dari Nanografi ini memiliki kemurnian 99,9%, ukuran 4'' dan ketebalan 0,125'', dipasok per satu buah untuk deposisi lapisan tipis Bi2O3 melalui sputtering. Pada proses ini, material dikikis dari target lalu diendapkan ke substrat seperti wafer silikon, dengan bentuk dan ukuran substrat yang beragam. Prosesnya dapat diulang dengan konsisten dan bisa ditingkatkan dari skala riset hingga batch produksi untuk area substrat sedang sampai besar.
Bismut oksida diminati karena sifat optik dan listriknya: celah energi 2 hingga 4 eV, indeks bias tinggi, permitivitas listrik tinggi, fotoluminesensi, serta konduktivitas ion oksigen yang tinggi pada suhu sedang dan tinggi. Senyawa ini memiliki beberapa polimorf (α, β, γ, δ), dan hanya fase α monoklinik suhu rendah serta fase δ kubik berpusat muka suhu tinggi yang stabil.
Magnetron sputtering banyak dipakai untuk material ini karena laju deposisinya tinggi, menghasilkan lapisan yang padat dan melekat kuat, serta dapat dijalankan pada sistem deposisi area luas yang tersedia secara komersial.
- Deposisi lapisan tipis Bi2O3 untuk perangkat optoelektronik dan sel surya.
- Lapisan elektrolit untuk sel bahan bakar oksida padat (SOFC) dan sensor oksigen berkat konduktivitas ioniknya yang tinggi.
- Sensor gas dan lapisan optik yang memanfaatkan indeks bias tinggi bismut oksida.
- Riset fotokatalisis cahaya tampak untuk disosiasi air dan dekontaminasi.
- Lapisan berbasis bismut untuk riset mikroelektronika karena mobilitas pembawa muatan yang tinggi.
- Sputter etching dan analisis jenis SIMS dengan mengikis material dari target.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,9% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01BI45
- Material: Bismut Oksida (Bi2O3)
- Ukuran: 4''
- Ketebalan: 0,125''
- Celah energi: 2 hingga 4 eV
—
—