Target sputtering boron (boron sputtering target) dari Nanografi ini dipasok per keping dengan indium, berkemurnian 99,9%, berukuran 2'' dan tebal 0,125''. Target berfungsi sebagai sumber material dalam deposisi sputter, yaitu proses pengikisan atom dari target yang kemudian mengendap sebagai lapisan tipis di atas substrat seperti wafer silikon.
Deposisi sputter bersifat dapat diulang, dapat ditingkatkan skalanya dari riset skala kecil hingga produksi batch dengan area substrat sedang sampai besar, dan banyaknya parameter proses memungkinkan pengendalian pertumbuhan serta mikrostruktur lapisan secara cermat.
Boron berperan penting dalam implantasi ion dan aplikasi lapisan tipis. Pelapisan berbasis boron dapat memberikan kekerasan, ketangguhan, ketahanan korosi, dan ketahanan aus yang tinggi. Target magnetron boron murni terutama digunakan untuk doping semikonduktor serta deposisi lapisan boron nitrida melalui sputtering magnetron reaktif dalam atmosfer nitrogen.
- Deposisi lapisan tipis boron pada substrat seperti wafer silikon.
- Doping semikonduktor menggunakan boron.
- Deposisi lapisan boron nitrida melalui sputtering magnetron reaktif dalam atmosfer nitrogen.
- Pembuatan pelapisan mengandung boron yang keras serta tahan aus dan korosi untuk modifikasi permukaan.
- Sputter etching ketika dibutuhkan anisotropi etsa yang tinggi.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,9% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 keping |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01BO06
- Material: Boron (B)
- Bonding: Indium
- Ukuran: 2''
- Ketebalan: 0,125''
—
—