Target sputtering boron (boron sputtering target) dari Nanografi ini dipasok per satu buah dengan kemurnian 99,9%, ukuran 3'' dan ketebalan 0,125''. Dalam katalog, target ini tercantum sebagai varian indium. Target berfungsi sebagai sumber material pada deposisi sputter, yaitu atom dikikis dari target lalu diendapkan sebagai lapisan tipis pada substrat seperti wafer silikon.
Sputtering merupakan teknik yang sudah teruji untuk melapisi substrat dengan beragam bentuk dan ukuran. Prosesnya dapat diulang dengan hasil konsisten dan dapat ditingkatkan dari proyek riset skala kecil hingga batch produksi dengan area substrat menengah sampai besar. Bergantung pada parameter proses, reaksi kimia dapat terjadi di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau pada substrat, sehingga pengguna dapat mengendalikan pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan secara cermat.
Lapisan berbasis boron banyak diteliti untuk pelapisan boron nitrida (BN). Boron nitrida kubik (c-BN) memiliki kekerasan tinggi, koefisien gesek rendah, konduktivitas termal baik, resistivitas listrik tinggi, serta inert secara kimia pada suhu tinggi. Sputtering, salah satu metode deposisi uap fisik (PVD), dipilih karena suhu pelapisannya lebih rendah dan mampu melapisi tepi tajam maupun bentuk yang rumit.
- Deposisi lapisan tipis pada substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter (sputter etching) ketika dibutuhkan anisotropi etsa yang tinggi.
- Analisis permukaan seperti spektrometri massa ion sekunder (SIMS), dengan material dikikis pada laju konstan lalu dianalisis.
- Riset pelapisan boron nitrida untuk perkakas potong, lapisan pelindung, lapisan optik, dan lapisan isolasi listrik.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,9% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01BO08
- Material: Boron (B)
- Ukuran: 3''
- Ketebalan: 0,125''
- Varian: Indium
- Kode produk: NG0ST01BO08
—
—