Target sputtering boron karbida (boron carbide sputtering target) B4C dari Nanografi ini berbentuk cakram berukuran 1'' dengan ketebalan 0,125'' dan kemurnian 99,5%, tersedia dalam versi indium. Produk ini digunakan sebagai material sumber untuk deposisi lapisan tipis (thin film) melalui proses sputtering.
Pada deposisi sputter, material dikikis dari target lalu diendapkan ke substrat seperti wafer silikon. Metode ini dapat diterapkan pada berbagai bentuk dan ukuran substrat, memberikan hasil yang dapat diulang, serta dapat ditingkatkan dari skala riset dan pengembangan hingga batch produksi dengan area substrat menengah sampai besar. Banyaknya parameter proses memungkinkan pengguna berpengalaman mengendalikan pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan secara cermat.
- Deposisi lapisan tipis boron karbida pada substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter (sputter etching) ketika dibutuhkan anisotropi etsa yang tinggi dan selektivitas bukan pertimbangan utama.
- Analisis seperti spektrometri massa ion sekunder (SIMS), di mana material di-sputter dengan laju konstan untuk menentukan komposisi dan mendeteksi pengotor dalam konsentrasi sangat rendah.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,5% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | — |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01BO17
- Material: Boron Karbida (B4C)
- Ukuran: 1''
- Ketebalan: 0,125''
- Versi: Indium
—
—