Target sputtering boron karbida (boron carbide sputtering target) B4C dari Nanografi ini berukuran 2'' dengan ketebalan 0,125'' dan kemurnian 99,5%, serta dilengkapi ikatan indium (indium bonded). Target ini berfungsi sebagai bahan sumber untuk mendeposisikan lapisan tipis B4C pada sistem pelapisan sputter.
Pada deposisi sputter, material dikikis dari target lalu dipindahkan ke substrat, misalnya wafer silikon. Metode ini dapat diterapkan pada substrat dengan beragam bentuk dan ukuran, memberikan hasil yang dapat diulang, dan dapat ditingkatkan dari skala riset dan pengembangan hingga batch produksi dengan area substrat menengah sampai besar.
Banyaknya parameter proses yang dapat diatur memungkinkan pengguna berpengalaman mengendalikan pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan secara cermat. Tergantung kondisi proses, reaksi kimia dapat berlangsung di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau pada substrat.
- Deposisi lapisan tipis boron karbida pada substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter (sputter etching) ketika dibutuhkan anisotropi etsa yang tinggi dan selektivitas tidak menjadi pertimbangan.
- Teknik analisis material seperti spektrometri massa ion sekunder (SIMS), di mana material di-sputter dengan laju konstan lalu dianalisis dengan spektrometri massa.
- Pelapisan deposisi uap fisik (physical vapor deposition/PVD), dari skala riset hingga area substrat menengah dan besar.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,5% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01BO18
- Material: Boron karbida (B4C)
- Ukuran: 2''
- Ketebalan: 0,125''
- Ikatan: Indium
- Kode produk: NG0ST01BO18
—
—