Target sputtering karbon (carbon sputtering target) dari Nanografi ini terbuat dari grafit dengan kemurnian 99,999%. Target berukuran 3'' dengan ketebalan 0,125'' dan digunakan sebagai sumber material untuk membentuk lapisan tipis karbon melalui proses sputtering.
Pada deposisi sputter, material dikikis dari target lalu diendapkan ke substrat, misalnya wafer silikon. Metode ini dapat diterapkan pada substrat dengan beragam bentuk dan ukuran, memberikan hasil yang dapat diulang, serta dapat ditingkatkan skalanya dari proyek riset dan pengembangan kecil hingga batch produksi dengan area substrat sedang sampai besar.
Bergantung pada parameter proses, reaksi kimia dapat terjadi di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau di substrat. Banyaknya parameter membuat sputtering menjadi proses yang kompleks, namun justru memberi kendali yang luas atas pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan.
- Deposisi lapisan tipis karbon pada substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter (sputter etching) ketika dibutuhkan anisotropi etsa tinggi dan selektivitas tidak menjadi prioritas.
- Analisis seperti spektrometri massa ion sekunder (SIMS), di mana atom yang terpercik dengan laju konstan diidentifikasi untuk menentukan komposisi dan pengotor berkadar sangat rendah.
- Penelitian pelapukan antariksa (space weathering), yaitu perubahan permukaan benda tanpa atmosfer seperti asteroid dan Bulan akibat sputtering.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,999% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST02CA18
- Material: Karbon (C) (Grafit)
- Ukuran: 3''
- Ketebalan: 0,125''
- Kode produk: NG0ST02CA18
—
—