Target sputtering karbon (carbon sputtering target) ini terbuat dari grafit pirolitik (pyrolytic graphite) dengan kemurnian 99,999%. Ukurannya 2'' dengan ketebalan 0,125'' dan menggunakan ikatan indium. Target ini berfungsi sebagai sumber material untuk membentuk lapisan tipis karbon melalui proses sputtering.
Deposisi sputter merupakan teknik yang telah teruji untuk melapisi substrat dengan beragam bentuk dan ukuran. Prosesnya dapat diulang dengan hasil konsisten dan dapat ditingkatkan dari skala riset kecil hingga batch produksi dengan area substrat menengah sampai besar. Bergantung pada parameter proses, reaksi kimia dapat terjadi di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau di substrat. Banyaknya parameter membuat proses ini kompleks, namun memberi pengguna berpengalaman kendali besar atas pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan.
- Deposisi lapisan tipis, yaitu material yang terkikis dari target diendapkan ke substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter (sputter etching) ketika dibutuhkan anisotropi etsa tinggi dan selektivitas tidak menjadi pertimbangan utama.
- Analisis material melalui pengikisan, misalnya pada spektrometri massa ion sekunder (SIMS), untuk menentukan komposisi dan mendeteksi pengotor berkadar sangat rendah.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,999% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | — |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST02CA34
- Material: Karbon (C) (Grafit Pirolitik)
- Ukuran: 2''
- Ketebalan: 0,125''
- Ikatan: Indium
—
—