Target sputtering karbon (carbon sputtering target) ini terbuat dari grafit pirolitik (pyrolytic graphite) dengan kemurnian 99,999%. Target ini berikat indium, berukuran 3'' dengan ketebalan 0,125'', dan dipasok per satu buah untuk sistem deposisi sputter.
Sputtering menghasilkan lapisan tipis dengan cara mengikis material dari target lalu mengendapkannya pada substrat, misalnya wafer silikon. Metode ini cocok untuk beragam material dan bentuk substrat, memberikan hasil yang dapat diulang, serta dapat ditingkatkan dari skala riset kecil hingga batch produksi dengan area substrat menengah sampai besar.
Tergantung parameter proses, reaksi kimia dapat terjadi di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau di substrat. Banyaknya parameter membuat proses ini cukup kompleks, namun justru memberi pengguna berpengalaman kendali yang baik atas pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan.
- Deposisi lapisan tipis karbon pada substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter (sputter etching) ketika dibutuhkan anisotropi etsa tinggi dan selektivitas tidak menjadi prioritas.
- Analisis material melalui sputtering, seperti pada spektrometri massa ion sekunder (SIMS), untuk menentukan komposisi dan mendeteksi pengotor dalam konsentrasi sangat rendah.
- Pekerjaan riset dan pengembangan yang kemudian dapat ditingkatkan ke skala produksi.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,999% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST02CA35
- Material: Karbon (C) (Grafit Pirolitik)
- Ukuran: 3''
- Ketebalan: 0,125''
- Ikatan: Indium
- Kode produk: NG0ST02CA35
—
—