Target sputtering karbon (carbon sputtering target) ini terbuat dari grafit pirolitik (pyrolytic graphite) dengan kemurnian 99,999%. Ukurannya 4'' dengan ketebalan 0,250'', dan berfungsi sebagai sumber material untuk menghasilkan lapisan tipis karbon pada sistem sputtering.
Pada deposisi sputter, material dikikis dari target lalu diendapkan pada substrat, misalnya wafer silikon. Metode ini dapat diterapkan pada substrat dengan berbagai bentuk dan ukuran, memberikan hasil yang konsisten, serta dapat ditingkatkan skalanya dari proyek riset dan pengembangan hingga produksi dengan area substrat menengah sampai besar.
Tergantung parameter proses, reaksi kimia dapat berlangsung di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau di substrat. Banyaknya parameter membuat sputtering menjadi proses yang kompleks, namun justru memberi kendali besar atas pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan.
- Deposisi lapisan tipis karbon pada substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter (sputter etching) ketika dibutuhkan anisotropi etsa tinggi dan selektivitas tidak menjadi prioritas.
- Analisis material melalui sputtering, misalnya pada spektrometri massa ion sekunder (SIMS) untuk menentukan komposisi dan pengotor dalam konsentrasi sangat rendah.
- Peningkatan skala proses sputtering dari riset dan pengembangan ke produksi dengan area substrat menengah hingga besar.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,999% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST02CA33
- Material: Karbon (C) (Grafit Pirolitik)
- Ukuran: 4''
- Ketebalan: 0,250''
- Kode produk: NG0ST02CA33
—
—