Target sputtering kromium oksida (chromium oxide sputtering target) Cr2O3 ini berbentuk cakram berdiameter 1'' dengan ketebalan 0,250'' dan kemurnian 99,8%-99,9%. Target ini menjadi sumber material untuk membuat lapisan tipis Cr2O3 melalui proses sputtering, yaitu pengikisan material dari target lalu pengendapannya pada substrat seperti wafer silikon.
Lapisan Cr2O3 memiliki kekerasan tinggi dan koefisien gesek rendah, sehingga berpotensi menggantikan nitrida logam transisi atau Al2O3 pada aplikasi khusus. Lapisan tipis kromium oksida juga dibutuhkan pada berbagai sirkuit terpadu, layar panel datar dan perangkat optik, serta telah dikembangkan sebagai pelindung pada head perekam magnetik.
Deposisi sputtering bersifat dapat diulang dan dapat ditingkatkan dari skala riset kecil hingga produksi dengan area substrat menengah sampai besar. Banyaknya parameter proses memungkinkan kontrol yang baik atas pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan.
- Deposisi lapisan tipis Cr2O3 yang keras dan bergesekan rendah.
- Lapisan tipis untuk sirkuit terpadu, layar panel datar dan perangkat optik.
- Lapisan pelindung terhadap aus dan korosi pada head dan media magnetik, termasuk head digital compact cassette (DCC).
- Riset dan pengembangan lapisan tipis optik dan elektrik.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,8%-99,9% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01CH27
- Material: Kromium Oksida (Cr2O3)
- Ukuran: 1''
- Ketebalan: 0,250''
—
—