Target sputtering indium (In) berupa cakram atau pelat padat logam indium, dirancang sebagai material sumber dalam sistem sputtering physical vapor deposition (PVD). Indium adalah logam pasca-transisi yang lunak, dihargai karena titik lelehnya yang rendah, kemampuan dibentuk, serta kemampuannya membentuk lapisan tipis konduktif dan semikonduktor ketika dikombinasikan dengan unsur lain. Target sputtering jenis ini menjadi sumber terkontrol untuk mendeposisikan lapisan logam dan senyawa yang seragam pada substrat.
- Jumlah: 1 piece
Untuk spesifikasi teknis, certificate of analysis (CoA), atau penawaran, silakan hubungi AMI Scientific.
- Deposisi lapisan tipis senyawa berbasis indium untuk riset fotovoltaik, seperti studi lapisan absorber dan buffer CIGS
- Fabrikasi lapisan elektroda dan kontak berbasis indium pada prototipe perangkat optoelektronik
- Pengembangan lapisan indium oksida hasil sputtering reaktif untuk riset lapisan konduktif transparan
- Studi metalisasi dan lapisan antara di laboratorium semikonduktor dan elektronika lapisan tipis
| Merek | — |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | — |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | — |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
—
—