Target sputtering indium zinc oksida (indium zinc oxide/IZO sputtering target, InZnO) ini merupakan bahan sumber dengan kemurnian 99,99% untuk membuat lapisan tipis (thin film) melalui proses sputtering. Target berukuran 4'' dengan ketebalan 0,250'' dan dipasok per satu buah.
Pada deposisi sputter, material dikikis dari target lalu dipindahkan ke substrat, misalnya wafer silikon. Metode ini dapat diterapkan pada berbagai bentuk dan ukuran substrat, memberikan hasil yang dapat diulang, serta dapat ditingkatkan dari skala riset dan pengembangan hingga batch produksi dengan area substrat menengah sampai besar.
Bergantung pada parameter proses, reaksi kimia dapat berlangsung di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau di substrat. Banyaknya parameter membuat sputtering menjadi proses yang kompleks, namun justru memberi pengguna berpengalaman kendali tinggi atas pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan.
- Deposisi lapisan tipis indium zinc oksida pada substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter (sputter etching) ketika dibutuhkan anisotropi etsa yang tinggi dan selektivitas tidak menjadi pertimbangan.
- Analisis material dengan mengikis material target, seperti pada spektrometri massa ion sekunder (SIMS), untuk menentukan komposisi dan mendeteksi pengotor berkadar sangat rendah.
- Proyek riset dan pengembangan yang nantinya dapat ditingkatkan ke area substrat menengah atau besar.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,99% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01IN97
- Material: Indium zinc oksida (IZO, InZnO)
- Ukuran: 4''
- Ketebalan: 0,250''
- Kode produk: NG0ST01IN97
—
—