Target sputtering besi (iron sputtering target) ini tersedia dalam satuan satu keping dengan kemurnian 99,9%, ukuran 3'' dan ketebalan 0,125''. Target berfungsi sebagai bahan sumber pada sistem deposisi sputter: material besi terkikis dari target lalu terdeposisi sebagai lapisan tipis di atas substrat, misalnya wafer silikon.
Sputtering merupakan metode yang telah teruji untuk melapisi substrat dengan beragam bentuk dan ukuran. Prosesnya dapat diulang dengan konsisten dan dapat ditingkatkan skalanya, mulai dari proyek riset dan pengembangan kecil hingga batch produksi dengan area substrat menengah sampai besar. Bergantung pada parameter proses, reaksi kimia dapat terjadi di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau pada substrat.
Banyaknya parameter memang membuat deposisi sputter menjadi proses yang kompleks, namun justru memberi keleluasaan bagi pengguna berpengalaman untuk mengendalikan pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan.
- Deposisi lapisan tipis besi pada substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter (sputter etching) bila dibutuhkan anisotropi etsa tinggi dan selektivitas tidak menjadi pertimbangan.
- Analisis material dengan cara pengikisan, misalnya pada spektrometri massa ion sekunder (SIMS) untuk menentukan komposisi dan mendeteksi pengotor dalam konsentrasi sangat rendah.
- Kajian pelapukan antariksa (space weathering), yaitu ketika sputtering mengubah permukaan benda tanpa atmosfer seperti asteroid dan Bulan.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,9% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 keping |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01FE10
- Material: Besi (Fe)
- Ukuran: 3''
- Ketebalan: 0,125''
—
—