Target sputtering molibdenum disilisida (molybdenum disilicide sputtering target, MoSi2) ini berupa cakram berikat indium dengan kemurnian 99,95%, ukuran 4'' dan ketebalan 0,125''. Produk ini menjadi bahan sumber untuk mendeposisikan lapisan tipis MoSi2 melalui sputtering dan dipasok per satu buah.
Pada deposisi sputter, material dikikis dari target lalu dipindahkan ke substrat, misalnya wafer silikon. Metode ini cocok untuk substrat dengan beragam bentuk dan ukuran, memberikan hasil yang dapat diulang, serta dapat ditingkatkan skalanya dari riset dan pengembangan skala kecil hingga batch produksi dengan area substrat sedang sampai besar.
Tergantung parameter proses, reaksi kimia dapat terjadi di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau di substrat. Banyaknya parameter membuat prosesnya kompleks, namun memberi pengguna berpengalaman kendali besar atas pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan.
- Deposisi lapisan tipis MoSi2 pada substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter (sputter etching) ketika dibutuhkan anisotropi etsa tinggi dan selektivitas tidak menjadi pertimbangan.
- Analisis material dengan mengikis material target, misalnya pada spektrometri massa ion sekunder (SIMS), untuk menentukan komposisi dan mendeteksi pengotor sangat rendah.
- Penelitian pelapukan antariksa (space weathering) yang mengubah sifat benda tanpa atmosfer seperti asteroid dan Bulan.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,95% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01MO32
- Material: Molibdenum disilisida (MoSi2)
- Ikatan: Indium
- Ukuran: 4''
- Ketebalan: 0,125''
—
—