Target sputtering molibdenum disulfida (molybdenum disulfide sputtering target, MoS2) ini merupakan bahan sumber untuk pembuatan lapisan tipis (thin film) melalui proses sputtering. Target memiliki kemurnian 99,9%, ukuran 8'' dan ketebalan 0,125'', serta tersedia dalam kemasan satu buah.
Pada deposisi sputtering, material dikikis dari target lalu dipindahkan ke substrat, misalnya wafer silikon. Metode ini dapat diterapkan pada substrat dengan beragam bentuk dan ukuran, memberikan hasil yang dapat diulang, dan dapat ditingkatkan skalanya dari proyek riset dan pengembangan hingga batch produksi dengan area substrat menengah sampai besar.
Bergantung pada parameter proses, reaksi kimia dapat berlangsung di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau di substrat. Banyaknya parameter membuat sputtering menjadi proses yang kompleks, namun justru memberi keleluasaan kontrol yang besar atas pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan.
- Deposisi lapisan tipis MoS2 pada substrat seperti wafer silikon.
- Sputter etching ketika dibutuhkan anisotropi etsa yang tinggi dan selektivitas tidak menjadi pertimbangan.
- Analisis material melalui etsa, misalnya spektroskopi massa ion sekunder (SIMS) untuk menentukan komposisi dan mendeteksi pengotor dalam konsentrasi sangat rendah.
- Kajian pelapukan antariksa (space weathering) pada benda tanpa atmosfer seperti asteroid dan Bulan.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,9% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01MO43
- Material: Molibdenum Disulfida (MoS2)
- Ukuran: 8''
- Ketebalan: 0,125''
- Kode produk: NG0ST01MO43
—
—