Target sputtering nikel vanadium (nickel vanadium sputtering target, NiV) ini adalah bahan sumber untuk membuat lapisan tipis NiV dengan metode sputtering. Kemurniannya 99,95%, ukurannya 8'' dengan ketebalan 0,250'', dan dipasok per keping.
Pada deposisi sputter, material dikikis dari target lalu diendapkan pada substrat seperti wafer silikon. Metode ini dapat digunakan pada substrat dengan beragam bentuk dan ukuran, memberikan hasil yang konsisten, serta dapat ditingkatkan skalanya dari proyek riset kecil hingga produksi untuk area substrat menengah sampai besar.
Tergantung parameter proses, reaksi kimia dapat terjadi di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau di substrat. Banyaknya parameter membuat prosesnya cukup kompleks, namun justru memberi kendali yang luas atas pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan.
- Deposisi lapisan tipis nikel vanadium pada substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter (sputter etching) bila diperlukan anisotropi etsa yang tinggi dan selektivitas tidak menjadi prioritas.
- Analisis material melalui pengikisan, misalnya spektrometri massa ion sekunder (SIMS) untuk menentukan komposisi dan mendeteksi pengotor dalam konsentrasi sangat rendah.
- Kajian pelapukan antariksa (space weathering), yaitu perubahan permukaan benda tanpa atmosfer seperti asteroid dan Bulan akibat sputtering.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,95% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 keping |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01NI87
- Material: Nikel Vanadium (NiV)
- Ukuran: 8''
- Ketebalan: 0,250''
—
—