Ossila E338 adalah masker deposisi area aktif (active area deposition mask) berdensitas tinggi, yaitu masker evaporasi untuk mendeposisikan material ke area aktif perangkat yang dibuat dengan sistem OFET high-density dari Ossila. Setiap substrat memuat 20 OFET, dan versi E338 menampung 12 substrat tipe S221, S223 atau S403.
Masker ini terbuat dari baja tahan karat (stainless steel) dengan ukuran 75 mm x 75 mm (2,95" x 2,95"). Tersedia untuk HD OFET dengan kanal linear maupun interdigitated, masing-masing dengan atau tanpa lapisan spacer. Versi kontak langsung (tanpa spacer) dianjurkan untuk sputtering dan deposisi non-direksional lainnya, serta deposisi termal dengan sudut miring atau jarak lempar sangat pendek, agar tepi lapisan terbentuk tegas. Versi dengan spacer 100 μm cocok untuk evaporasi termal biasa karena membantu mencegah goresan dan memperbaiki proses out-gassing.
Masker ini digunakan bersama masker source-drain dan gate dalam sistem untuk membuat FET back-gate pada substrat Si/SiO2 atau substrat lain, maupun FET front-gate. Untuk FET interdigitated, digunakan versi masker interdigitated yang sesuai.
- Deposisi lapisan semikonduktor aktif pada substrat OFET high-density melalui evaporasi termal.
- Pembentukan area aktif dengan sputtering atau deposisi non-direksional lain menggunakan masker kontak langsung.
- Fabrikasi FET back-gate pada substrat Si/SiO2 bersama masker FET high-density lainnya.
- Pembuatan FET back-gate atau front-gate pada berbagai substrat dalam sistem FET high-density Ossila.
| Merek | Ossila |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | — |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | — |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: E338
- Kode produk: E338
- Ukuran: 75 mm x 75 mm (2,95" x 2,95")
- Ketebalan: 1,7 mm tanpa spacer, 1,8 mm dengan spacer (tidak termasuk baut)
- Material: Baja tahan karat
- Kapasitas substrat: 12 (S221, S223 atau S403)
- Jumlah OFET: 20 per substrat
- Opsi spacer: Kontak langsung (tanpa spacer) atau spacer 100 μm
- Varian tipe kanal: HD OFET kanal linear, HD OFET kanal interdigitated
—
—