Masker Deposisi Area Aktif High Density (active area deposition mask) Ossila E338-SPC adalah masker evaporasi berbahan baja tahan karat untuk mendeposisikan material ke area aktif perangkat transistor pada sistem OFET high-density Ossila. Setiap substrat memuat 20 OFET, dan masker E338 menampung 12 substrat (S221, S223 atau S403).
Masker berukuran 75 mm x 75 mm (2,95" x 2,95") ini tersedia dalam dua konfigurasi. Versi kontak langsung tanpa spacer setebal 1,7mm menghasilkan tepi pola yang tajam pada sputtering dan metode deposisi non-direksional lainnya, maupun pada evaporator termal dengan sudut miring atau jarak lempar sangat pendek. Versi dengan spacer 100 μm setebal 1,8mm (tanpa baut) cocok untuk evaporasi termal standar karena celahnya membantu mencegah goresan dan memperbaiki pelepasan gas (out-gassing).
Masker ini digunakan bersama masker source-drain dan gate untuk membuat FET back-gate di atas Si/SiO2 atau substrat lain, serta FET front-gate. Tata letak FET interdigitated memerlukan versi masker interdigitated yang sesuai.
- Deposisi lapisan semikonduktor aktif OFET pada sistem OFET high-density Ossila.
- Evaporasi termal lapisan aktif dengan versi spacer 100 μm untuk mengurangi goresan dan membantu out-gassing.
- Sputtering atau deposisi non-direksional lainnya dengan versi kontak langsung untuk tepi pola yang tegas.
- Fabrikasi FET back-gate di atas Si/SiO2 atau substrat lain serta FET front-gate pada substrat apa pun.
| Merek | Ossila |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | — |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | — |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: E338-SPC
- Ukuran: 75 mm x 75 mm (2,95" x 2,95")
- Ketebalan: 1,7mm tanpa spacer, 1,8mm dengan spacer (tanpa baut)
- Material: Baja tahan karat
- Kapasitas substrat: E338: 12 (S221, S223 atau S403)
- Jumlah OFET: 20 per substrat
- Spacer: 100 μm
—
—