Masker deposisi area aktif (active area deposition mask) Ossila E339 High Density adalah masker evaporasi berbahan baja tahan karat untuk membentuk area aktif perangkat pada sistem OFET high-density dari Ossila. Setiap substrat memuat 20 OFET, dan versi E339 menampung 12 substrat (S233, S411).
Tersedia dua konfigurasi. Versi kontak langsung tanpa spacer cocok untuk sputtering dan metode deposisi non-direksional lainnya, serta deposisi termal dengan sudut miring atau jarak lempar sangat pendek, sehingga tepi lapisan terbentuk dengan tegas. Versi dengan spacer 100 μm dianjurkan untuk evaporasi termal biasa karena membantu mencegah goresan dan memperbaiki pelepasan gas (out-gassing).
Masker berukuran 75 mm x 75 mm (2,95" x 2,95") dengan ketebalan 1,7mm tanpa spacer atau 1,8mm dengan spacer (tidak termasuk baut). Tersedia varian kanal linear dan kanal interdigitated; untuk FET interdigitated, masker source-drain, area aktif, dan gate perlu diganti dengan versi yang sesuai.
- Deposisi lapisan aktif OFET pada sistem FET high-density Ossila.
- Sputtering dan deposisi non-direksional lainnya menggunakan masker kontak langsung.
- Evaporasi termal standar menggunakan masker dengan spacer 100 μm.
- Fabrikasi FET back-gate pada substrat Si/SiO2 maupun substrat lain, serta FET front-gate pada substrat apa pun, bersama masker lain dalam sistem.
| Merek | Ossila |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | — |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | — |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: E339
- Kode produk: E339
- Ukuran: 75 mm x 75 mm (2,95" x 2,95")
- Ketebalan: 1,7mm tanpa spacer, 1,8mm dengan spacer (tidak termasuk baut)
- Bahan: Baja tahan karat
- Kapasitas substrat: 12 (S233, S411)
- Jumlah OFET: 20 per substrat
- Opsi spacer: Tanpa spacer (kontak langsung) atau spacer 100 μm
—
—