Masker Deposisi Area Aktif (Active Area Deposition Mask) High Density dari Ossila adalah masker evaporasi berbahan baja tahan karat untuk membentuk pola area aktif pada perangkat transistor. Masker ini dirancang sebagai bagian dari sistem OFET high-density Ossila, dengan 20 OFET pada setiap substrat.
Tersedia varian untuk OFET high-density dengan kanal linear maupun kanal interdigitated, masing-masing dengan atau tanpa lapisan spacer. Versi kontak langsung (tanpa spacer) cocok untuk sputtering dan metode deposisi non-direksional lainnya, serta sistem deposisi termal dengan sudut miring atau jarak lempar sangat pendek, sehingga tepi pola lebih tegas. Versi dengan spacer 100 μm ditujukan untuk evaporasi termal standar, membantu mencegah goresan dan memperbaiki proses out-gassing.
Ukuran masker 75 mm x 75 mm dengan ketebalan 1,7mm tanpa spacer atau 1,8mm dengan spacer (tidak termasuk baut). Untuk FET interdigitated, masker source-drain, area aktif, dan gate harus diganti dengan versi interdigitated yang sesuai.
- Deposisi lapisan aktif pada OFET yang dibuat dengan sistem OFET high-density Ossila.
- Pembentukan pola area aktif melalui evaporasi termal menggunakan versi spacer 100 μm.
- Deposisi area aktif dengan sputtering atau metode non-direksional lain menggunakan versi kontak langsung.
- Fabrikasi FET back-gate pada substrat Si/SiO2 atau substrat lain, serta FET front-gate pada substrat apa pun, bersama masker sistem yang sesuai.
| Merek | Ossila |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | — |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | — |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: E339-SPC
- Jumlah OFET: 20 per substrat
- Ukuran: 75 mm x 75 mm (2,95" x 2,95")
- Ketebalan: 1,7mm tanpa spacer, 1,8mm dengan spacer (tidak termasuk baut)
- Material: Baja tahan karat
- Spacer: 100 μm
- Kapasitas substrat (E339): 12 (S233, S411)
—
—