Masker deposisi area aktif (active area deposition mask) Ossila E307 adalah masker evaporasi untuk menempatkan material secara tepat ke area aktif, yaitu kanal source-drain, pada transistor yang dibuat dengan sistem OFET low density.
Tersedia dua versi. Versi dengan spacer memiliki jarak 100 μm sehingga masker tidak menyentuh substrat namun resolusi deposisi tetap baik; versi ini disarankan untuk evaporasi termal biasa karena membantu mencegah goresan dan memperbaiki out-gassing. Versi kontak langsung cocok untuk sputtering dan metode deposisi non-direksional lainnya, serta sistem termal dengan sudut miring atau jarak lempar sangat pendek, karena menghasilkan tepi yang tegas.
Masker ini merupakan salah satu dari empat masker dalam sistem fabrikasi low density, bersama masker source-drain, deposisi gate, dan deposisi insulator. Kombinasi keempatnya memungkinkan pembuatan perangkat dengan geometri apa pun, termasuk konfigurasi gate atas/bawah dan source-drain atas/bawah.
- Mendeposisikan semikonduktor atau material lain ke kanal source-drain perangkat OFET.
- Evaporasi termal lapisan aktif menggunakan versi spacer 100 μm agar substrat tidak tergores.
- Sputtering atau deposisi non-direksional lainnya menggunakan versi kontak langsung untuk tepi yang tegas.
- Pembuatan transistor top-gate atau bottom-gate bersama masker lain dalam sistem low density.
| Merek | Ossila |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | — |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | — |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: E307
- Kode produk: E307
- Sistem yang kompatibel: Sistem FET Low Density 20 mm x 15 mm
- Varian: Dengan lapisan spacer, tanpa lapisan spacer
- Tinggi spacer: 100 μm
- Area deposisi: Area aktif (kanal source-drain)
—
—