Ossila Active Area Deposition Mask, Low Density E307-SPC

Masker deposisi (deposition mask) dari Ossila ini digunakan untuk menguapkan material ke area aktif transistor, yaitu kanal source-drain. Masker ini merupakan bagian dari sistem fabrikasi OFET low density dan dipakai bersama masker lain dalam sistem tersebut pada substrat 20 mm x 15 mm.

Tersedia dua varian. Varian dengan spacer 100 μm menjaga masker tidak menyentuh substrat namun tetap memberikan resolusi deposisi yang baik; varian ini cocok untuk evaporasi termal biasa karena membantu mencegah goresan dan memperbaiki out-gassing. Varian kontak langsung lebih tepat untuk sputtering dan metode deposisi non-direksional lainnya, maupun deposisi termal dengan sudut miring atau jarak lempar sangat pendek, sehingga tepi pola terbentuk dengan tegas.

Sistem low density memiliki empat masker: source-drain, deposisi gate, deposisi area aktif, dan deposisi insulator. Kombinasi keempatnya memungkinkan pembuatan perangkat dengan berbagai geometri, baik gate atas maupun bawah serta source-drain atas maupun bawah. Pada substrat Si/SiO2 back-gate, masker gate dan insulator tidak diperlukan, sedangkan substrat kaca kuarsa dengan masker gate dapat menghasilkan tegangan operasi dan kapasitansi parasitik yang lebih rendah.

• Mendeposisikan material semikonduktor atau material lain ke daerah kanal source-drain pada OFET.
• Evaporasi termal lapisan aktif menggunakan varian spacer 100 μm agar substrat tidak tergores.
• Sputtering atau deposisi non-direksional lapisan aktif menggunakan varian kontak langsung untuk tepi yang tegas.
• Pembuatan transistor dengan geometri gate atas atau gate bawah bersama masker OFET low density lainnya.

• Kode produk: E307-SPC
• Kode produk: E307-SPC
• Jenis masker: Masker evaporasi, area aktif (kanal source-drain)
• Sistem yang kompatibel: Sistem OFET low density
• Ukuran substrat: 20 mm x 15 mm
• Spacer: 100 μm
• Varian: Dengan lapisan spacer, Tanpa lapisan spacer

—

—