Serbuk indium oksida (indium oxide powder) Ossila (In2O3, CAS 1312-43-2) berupa serbuk kuning pucat dengan kemurnian 99,99% dan ukuran partikel ca. 50 nm. Material yang juga disebut diindium trioksida, indium seskuioksida, atau indium (III) oksida ini merupakan semikonduktor dengan celah pita (bandgap) sekitar 3 eV, dan menjadi bahan dasar oksida konduktif transparan seperti ITO bila didoping dengan berbagai logam.
Mobilitas elektronnya dapat mencapai 100 cm2/V·s sehingga sangat cocok untuk transistor efek medan (FET) berkinerja tinggi. Celah pita yang lebar juga memberikan transparansi optik tinggi, dengan transmitansi 70–80% dan indeks bias 2,0.
Pada sel surya tandem, lapisan interkoneksi indium oksida tidak menimbulkan kehilangan optik berarti seperti Ag atau Au, sehingga EQE sel belakang organik meningkat dan Jsc total naik sekitar 1,5 mA/cm2. Pada baterai litium, material ini membantu menekan pertumbuhan dendrit litium di anoda, dengan retensi kapasitas di atas 80% setelah 600 siklus.
- Material kanal untuk transistor efek medan (FET) berkinerja tinggi.
- Lapisan interkoneksi pada sel surya tandem perovskit–organik dengan kehilangan optik rendah.
- Modifikasi permukaan anoda untuk menekan pertumbuhan dendrit litium pada baterai litium.
- Riset elektrokimia, termasuk reduksi CO2 secara elektrokimia.
- Bahan awal untuk oksida konduktif transparan terdoping seperti ITO.
| Merek | Ossila |
|---|---|
| Nomor CAS | 1312-43-2 |
| Rumus molekul | In2O3 |
| Kemurnian | 99,99% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 5 g, 10 g, 25 g |
| Bentuk fisik | Serbuk kuning pucat |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: M2488A1
- Nama Lengkap: Diindium trioksida
- Sinonim: Indium seskuioksida, Indium (III) oksida
- Berat Molekul: 277,64 g/mol
- Titik Leleh: 1910 °C
- Ukuran Partikel: ca. 50 nm
- Celah Pita: sekitar 3 eV
- Mobilitas Elektron: hingga 100 cm2/V·s
- Transmitansi: 70–80%
- Indeks Bias: 2,0
Lembar MSDS tersedia untuk produk ini; baca terlebih dahulu untuk panduan penanganan dan penyimpanan yang aman sebelum digunakan.
—