Langsung ke informasi produk
1 dari 1

Nanografi

Silicon Carbide (SiC) Sputtering Targets, indium

Silicon Carbide (SiC) Sputtering Targets, indium
Harga reguler Rp 27.709.000,00
Harga reguler Harga obral Rp 27.709.000,00
Obral Habis
Biaya pengiriman dihitung saat checkout.
Quantity
Jumlah
Pembayaran hanya melalui request quotation dan dilakukan setelah tim kami menghubungi Anda. Mohon cantumkan nomor WhatsApp aktif untuk konfirmasi pesanan & pembuatan invoice. Estimasi pengiriman 1-2 bulan setelah pembayaran. Jika belum ada respons, hubungi +62 823-2282-4346.

Lihat detail lengkap

Silicon carbide (SiC) adalah senyawa keramik berikatan kovalen dari silikon dan karbon, yang banyak dipelajari sebagai semikonduktor celah pita lebar dan sebagai material keramik keras yang tahan panas. Target sputtering adalah potongan sumber padat yang digunakan dalam physical vapor deposition untuk membentuk lapisan tipis pada substrat. Produk ini tercantum bersama indium pada judulnya, yang mungkin menunjukkan konfigurasi terikat (bonded) atau dengan backing plate; mohon konfirmasi konstruksi pastinya kepada AMI Scientific.

  • Quantity: 1 piece

Hubungi AMI Scientific untuk spesifikasi teknis, CoA, atau penawaran.

  • Riset deposisi lapisan tipis untuk elektronika daya celah pita lebar
  • Pengembangan lapisan pelindung dan tahan aus
  • Studi lapisan untuk optoelektronik dan sensor
  • Riset perangkat MEMS dan perangkat bersuhu tinggi

Merek —
Nomor CAS —
Rumus molekul —
Kemurnian —
Kategori —
Ukuran kemasan —
Bentuk fisik —
Penyimpanan —

—

—