Target sputtering silikon karbida (silicon carbide sputtering target) dari Nanografi ini dipasok per satu buah dengan indium, kemurnian 99,5%, ukuran 3'' dan ketebalan 0,125''. Target ini berfungsi sebagai sumber material dalam deposisi sputter, yaitu proses pengikisan material dari target yang kemudian mengendap sebagai lapisan tipis pada substrat seperti wafer silikon.
Deposisi sputter mampu melapisi substrat dengan beragam bentuk dan ukuran serta memberikan hasil yang dapat diulang. Proses yang dikembangkan pada skala riset dan pengembangan dapat ditingkatkan ke batch produksi dengan area substrat menengah hingga besar. Bergantung pada parameter proses, reaksi kimia dapat terjadi di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau di substrat. Banyaknya parameter membuat teknik ini cukup kompleks, namun memberi pengguna berpengalaman kendali yang besar atas pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan.
- Deposisi lapisan tipis pada substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter (sputter etching) ketika dibutuhkan anisotropi etsa tinggi dan selektivitas tidak menjadi perhatian.
- Analisis komposisi melalui sputtering, seperti pada spektrometri massa ion sekunder (SIMS), termasuk deteksi pengotor berkonsentrasi sangat rendah.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,5% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01SI62
- Material: Silikon Karbida (SiC)
- Bonding: Indium
- Ukuran: 3''
- Ketebalan: 0,125''
—
—