Langsung ke informasi produk
1 dari 1

Nanografi

Silicon Carbide (SiC) Sputtering Targets, indium

Silicon Carbide (SiC) Sputtering Targets, indium
Harga reguler Rp 43.384.000,00
Harga reguler Harga obral Rp 43.384.000,00
Obral Habis
Biaya pengiriman dihitung saat checkout.
Quantity
Jumlah
Pembayaran hanya melalui request quotation dan dilakukan setelah tim kami menghubungi Anda. Mohon cantumkan nomor WhatsApp aktif untuk konfirmasi pesanan & pembuatan invoice. Estimasi pengiriman 1-2 bulan setelah pembayaran. Jika belum ada respons, hubungi +62 823-2282-4346.

Lihat detail lengkap

Target sputtering silicon carbide (SiC) adalah material sumber padat yang digunakan dalam physical vapor deposition (PVD) untuk membentuk lapisan tipis. SiC merupakan senyawa keramik yang keras dan stabil secara kimia, termasuk golongan keramik maju dan semikonduktor celah pita lebar. Produk ini juga menyebutkan indium, yang mungkin menunjukkan konfigurasi bonding atau backing; mohon konfirmasi konstruksi yang tepat dengan tim kami sebelum memesan.

  • Quantity: 1 piece

Hubungi AMI Scientific untuk spesifikasi teknis, CoA, atau penawaran.

  • Deposisi lapisan tipis pelindung dan tahan aus untuk riset lapisan keras
  • Pengembangan lapisan berbasis SiC untuk studi elektronika daya dan perangkat semikonduktor
  • Pembuatan lapisan tipis untuk riset permukaan tahan suhu tinggi dan korosi
  • Riset material pada lapisan tipis semikonduktor celah pita lebar

Merek —
Nomor CAS —
Rumus molekul —
Kemurnian —
Kategori —
Ukuran kemasan —
Bentuk fisik —
Penyimpanan —

—

—