Target sputtering silicon carbide (SiC) adalah material sumber padat yang digunakan dalam physical vapor deposition (PVD) untuk membentuk lapisan tipis. SiC merupakan senyawa keramik yang keras dan stabil secara kimia, termasuk golongan keramik maju dan semikonduktor celah pita lebar. Produk ini juga menyebutkan indium, yang mungkin menunjukkan konfigurasi bonding atau backing; mohon konfirmasi konstruksi yang tepat dengan tim kami sebelum memesan.
- Quantity: 1 piece
Hubungi AMI Scientific untuk spesifikasi teknis, CoA, atau penawaran.
- Deposisi lapisan tipis pelindung dan tahan aus untuk riset lapisan keras
- Pengembangan lapisan berbasis SiC untuk studi elektronika daya dan perangkat semikonduktor
- Pembuatan lapisan tipis untuk riset permukaan tahan suhu tinggi dan korosi
- Riset material pada lapisan tipis semikonduktor celah pita lebar
| Merek | — |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | — |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | — |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
—
—
