Target sputtering silicon carbide (SiC) adalah material sumber padat yang digunakan dalam physical vapor deposition (PVD) untuk membentuk lapisan tipis melalui proses sputtering. SiC termasuk dalam keluarga keramik maju dan semikonduktor senyawa celah pita lebar, dikenal karena kekerasan, stabilitas termal, dan ketahanan kimianya. Nanografi menyediakan target ini sebagai sumber berbasis nanomaterial untuk riset skala laboratorium dan percontohan.
- Kuantitas: 1 buah
Untuk spesifikasi teknis, sertifikat analisis (CoA), atau penawaran, silakan hubungi AMI Scientific.
- Deposisi lapisan tipis untuk riset elektronika daya celah pita lebar
- Pengembangan lapisan pelindung dan tahan aus
- Studi fabrikasi perangkat MEMS dan sensor
- Riset lapisan suhu tinggi dan optoelektronika
| Merek | — |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | — |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | — |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
—
—