Target sputtering silikon karbida (silicon carbide sputtering target) dari Nanografi ini berbentuk cakram berukuran 1'' dengan ketebalan 0,250'' dan kemurnian 99,5%. Target ini berfungsi sebagai sumber material pada sistem deposisi sputter, di mana atom dikikis dari target lalu diendapkan sebagai lapisan tipis pada substrat seperti wafer silikon.
Sputtering merupakan teknik yang telah teruji untuk melapisi substrat dengan beragam bentuk dan ukuran. Prosesnya dapat diulang dengan hasil konsisten dan dapat ditingkatkan dari skala riset dan pengembangan hingga batch produksi dengan area substrat menengah sampai besar. Bergantung pada parameter proses, reaksi kimia dapat terjadi di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau pada substrat. Banyaknya parameter membuat teknik ini kompleks, namun memberi kendali yang luas atas pertumbuhan dan struktur mikro lapisan.
Dipasok dalam kemasan satu buah.
- Deposisi lapisan tipis silikon karbida pada substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter (sputter etching) ketika dibutuhkan anisotropi etsa tinggi dan selektivitas tidak menjadi prioritas.
- Analisis material melalui pengikisan, misalnya spektrometri massa ion sekunder (SIMS) untuk menentukan komposisi dan pengotor dalam konsentrasi sangat rendah.
- Penelitian proses sputtering yang berkaitan dengan pelapukan antariksa pada benda tanpa atmosfer seperti asteroid dan Bulan.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,5% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01SI53
- Material: Silikon Karbida (SiC)
- Ukuran: 1''
- Ketebalan: 0,250''
—
—