Target sputtering silicon carbide (SiC) adalah pelat sumber padat yang terbuat dari senyawa keramik silicon carbide. Target ini digunakan dalam physical vapor deposition (PVD) untuk membentuk lapisan tipis pada substrat. SiC termasuk dalam golongan keramik maju dan semikonduktor celah pita lebar, yang dihargai karena kekerasan, stabilitas termal, dan ketahanan kimianya.
- 1 piece
Untuk spesifikasi teknis, Certificate of Analysis (CoA), atau penawaran, silakan hubungi AMI Scientific.
- Deposisi lapisan tipis SiC untuk perangkat elektronika daya dan bersuhu tinggi
- Lapisan keras pelindung untuk ketahanan aus dan korosi
- Riset komponen MEMS dan optoelektronik
| Merek | — |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | — |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | — |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
—
—