Target sputtering silikon karbida (silicon carbide sputtering target) dari Nanografi ini berbentuk cakram berukuran 2'' dengan ketebalan 0,250'' dan kemurnian 99,5%. Target ini berfungsi sebagai bahan sumber pada sistem deposisi sputter, di mana atom yang terkikis dari target mengendap menjadi lapisan tipis SiC pada substrat seperti wafer silikon.
Sputtering merupakan metode deposisi yang sudah teruji untuk melapisi substrat dengan beragam bentuk dan ukuran. Hasilnya dapat diulang, dan proses yang dikembangkan pada skala riset kecil dapat ditingkatkan ke batch produksi dengan area substrat menengah hingga besar.
Bergantung pada parameter proses, reaksi kimia dapat terjadi di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau pada substrat. Banyaknya parameter membuat proses ini cukup kompleks, namun memberi pengguna berpengalaman kendali yang baik atas pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan.
- Deposisi lapisan tipis silikon karbida pada substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter (sputter etching) ketika dibutuhkan anisotropi etsa yang tinggi dan selektivitas tidak menjadi pertimbangan utama.
- Analisis komposisi dengan spektrometri massa ion sekunder (SIMS), di mana material di-sputter dengan laju konstan dan atom yang terlepas diidentifikasi dengan spektrometri massa.
- Penelitian pelapukan antariksa (space weathering), yaitu proses akibat sputtering yang mengubah permukaan benda tanpa atmosfer seperti asteroid dan Bulan.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,5% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01SI55
- Material: Silikon Karbida (SiC)
- Ukuran: 2''
- Ketebalan: 0,250''
- Kode produk: NG0ST01SI55
—
—