Sputtering target silicon carbide (SiC) adalah sumber senyawa keramik padat yang digunakan dalam physical vapor deposition untuk membentuk film tipis silikon karbida di atas substrat. SiC termasuk golongan semikonduktor senyawa celah pita lebar dan keramik maju, dikenal karena kekerasan, stabilitas termal, dan ketahanan kimianya. Nanografi menyediakan target ini untuk pengolahan film tipis skala riset.
- 1 piece
Hubungi AMI Scientific untuk spesifikasi teknis, CoA, atau penawaran.
- Deposisi film tipis SiC untuk riset elektronika daya dan perangkat semikonduktor celah pita lebar
- Lapisan keras pelindung untuk studi ketahanan aus dan korosi
- Pengembangan film tipis untuk riset MEMS dan sensor suhu tinggi
- Investigasi material optoelektronik dan fotonik
| Merek | — |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | — |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | — |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
—
—