Target sputtering silicon carbide (SiC) adalah sumber keramik padat berbasis senyawa yang digunakan dalam physical vapor deposition untuk membentuk lapisan tipis. SiC termasuk golongan semikonduktor celah pita lebar dan keramik maju, yang dihargai karena kekerasan, kestabilan termal, dan sifat elektroniknya. Selama proses sputtering, ion berenergi tinggi melepaskan material dari target, lalu material tersebut mengendap pada substrat sebagai lapisan yang seragam.
- Quantity: 1 buah
Untuk spesifikasi teknis, certificate of analysis (CoA), atau penawaran, silakan hubungi AMI Scientific.
- Deposisi lapisan tipis untuk riset perangkat semikonduktor daya dan suhu tinggi
- Lapisan pelindung dan tahan aus yang dikaji dalam teknik material
- Fabrikasi komponen MEMS dan sensor
- Pengembangan lapisan tipis optik dan fotonik
| Merek | — |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | — |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | — |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
—
—