Target sputtering silikon karbida (silicon carbide sputtering target) dari Nanografi ini memiliki kemurnian 99,5%, ukuran 4'' dan ketebalan 0,125''. Target ini berfungsi sebagai bahan sumber dalam deposisi sputter, yaitu proses pengikisan material dari target yang kemudian mengendap sebagai lapisan tipis pada substrat, misalnya wafer silikon.
Sputtering merupakan teknik deposisi yang telah teruji untuk berbagai jenis material dan substrat dengan bentuk serta ukuran beragam. Prosesnya dapat diulang dengan konsisten, dapat ditingkatkan dari skala riset dan pengembangan hingga batch produksi dengan area substrat sedang sampai besar, dan banyaknya parameter proses memungkinkan pengendalian yang cermat atas pertumbuhan serta mikrostruktur lapisan. Tergantung parameternya, reaksi kimia dapat terjadi di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau pada substrat.
Selain untuk deposisi lapisan, sputtering juga dimanfaatkan untuk etsa anisotropik dan analisis permukaan seperti spektrometri massa ion sekunder (SIMS).
- Deposisi lapisan tipis pada substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter (sputter etching) ketika dibutuhkan anisotropi etsa yang tinggi dan selektivitas tidak menjadi prioritas.
- Analisis komposisi dengan SIMS, di mana sampel di-sputter dengan laju konstan dan atom yang terlepas diukur dengan spektrometri massa, termasuk pengotor berkonsentrasi sangat rendah.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,5% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01SI58
- Material: Silikon Karbida (SiC)
- Ukuran: 4''
- Ketebalan: 0,125''
- Kode produk: NG0ST01SI58
—
—