Langsung ke informasi produk
1 dari 1

Nanografi

Silicon Carbide (SiC) Sputtering Targets

Silicon Carbide (SiC) Sputtering Targets
Harga reguler Rp 25.812.000,00
Harga reguler Harga obral Rp 25.812.000,00
Obral Habis
Biaya pengiriman dihitung saat checkout.
Quantity
Jumlah
Pembayaran hanya melalui request quotation dan dilakukan setelah tim kami menghubungi Anda. Mohon cantumkan nomor WhatsApp aktif untuk konfirmasi pesanan & pembuatan invoice. Estimasi pengiriman 1-2 bulan setelah pembayaran. Jika belum ada respons, hubungi +62 823-2282-4346.

Lihat detail lengkap

Target sputtering silicon carbide (SiC) adalah lempeng sumber padat yang digunakan dalam physical vapor deposition (PVD) untuk menghasilkan lapisan tipis SiC. SiC merupakan senyawa keramik semikonduktor celah pita lebar yang dikenal karena kekerasan, stabilitas termal, dan ketahanan kimianya, sehingga banyak digunakan dalam riset lapisan tipis tingkat lanjut.

  • Kuantitas: 1 piece

Untuk spesifikasi teknis, Certificate of Analysis (CoA), atau penawaran, silakan hubungi AMI Scientific.

  • Deposisi lapisan tipis SiC untuk riset elektronika daya dan perangkat semikonduktor
  • Lapisan pelindung dan tahan aus yang dikaji untuk lingkungan mekanis yang berat
  • Pengembangan perangkat optoelektronik dan fotonik berbasis lapisan celah pita lebar
  • Riset lapisan tahan suhu tinggi dan tahan korosi

Merek —
Nomor CAS —
Rumus molekul —
Kemurnian —
Kategori —
Ukuran kemasan —
Bentuk fisik —
Penyimpanan —

—

—