Target sputtering silikon dioksida (silicon dioxide sputtering target) ini terbuat dari kuarsa lebur (fused quartz) dengan kemurnian 99,995%. Ukurannya 4'' dengan ketebalan 0,125'', dan dipasok per satu keping untuk pembuatan lapisan tipis melalui proses sputtering.
Pada deposisi sputter, material dikikis dari target lalu dipindahkan ke substrat, misalnya wafer silikon. Metode ini cocok untuk beragam bentuk dan ukuran substrat, memberikan hasil yang dapat diulang, serta dapat ditingkatkan dari skala riset dan pengembangan hingga batch produksi dengan area substrat sedang sampai besar.
Tergantung parameter proses, reaksi kimia dapat terjadi di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau di substrat. Banyaknya variabel memang membuat sputtering cukup kompleks, tetapi justru memberi pengguna berpengalaman kendali besar atas pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan.
- Deposisi lapisan tipis silikon dioksida pada substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter (sputter etching) ketika dibutuhkan anisotropi etsa tinggi dan selektivitas tidak menjadi prioritas.
- Analisis material melalui etsa, misalnya spektrometri massa ion sekunder (SIMS), untuk mengetahui komposisi dan mendeteksi pengotor dalam konsentrasi sangat rendah.
- Kajian pelapukan antariksa (space weathering) yang mengubah sifat benda tanpa atmosfer seperti asteroid dan Bulan.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,995% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 keping |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01SI71
- Material: Silikon Dioksida (SiO2), Kuarsa Lebur
- Ukuran: 4''
- Ketebalan: 0,125''
- Kode produk: NG0ST01SI71
—
—