Target sputtering silikon (silicon sputtering target) tipe-N dari Nanografi ini dipasok per satu keping dengan kemurnian 99,999%, ukuran 4'' dan ketebalan 0,125''. Target ini berfungsi sebagai bahan sumber pada sistem deposisi sputter untuk menumbuhkan lapisan tipis silikon di atas substrat dengan berbagai bentuk dan ukuran.
Pada proses sputtering, material dikikis dari target lalu diendapkan pada substrat, misalnya wafer silikon. Metode ini memberikan hasil yang dapat diulang dan dapat ditingkatkan skalanya dari proyek riset dan pengembangan kecil hingga batch produksi dengan area substrat menengah sampai besar. Bergantung pada parameter proses, reaksi kimia dapat terjadi di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau di substrat. Banyaknya parameter membuat proses ini kompleks, namun justru memberi kendali yang tinggi atas pertumbuhan dan struktur mikro lapisan.
Selain untuk deposisi, target sputtering juga dimanfaatkan dalam etsa sputter dan teknik analisis yang mengandalkan pengikisan material secara terkontrol.
- Deposisi lapisan tipis silikon pada substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter (sputter etching) bila dibutuhkan anisotropi etsa tinggi dan selektivitas tidak menjadi pertimbangan.
- Analisis material dengan spektrometri massa ion sekunder (SIMS), di mana target dikikis dengan laju konstan untuk mengetahui komposisi dan pengotor dalam konsentrasi sangat rendah.
- Kajian pelapukan antariksa (space weathering), yaitu proses sputtering yang mengubah sifat benda tanpa atmosfer seperti asteroid dan Bulan.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,999% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 keping |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01SI06
- Material: Silikon (Si)
- Tipe: Tipe-N
- Ukuran: 4''
- Ketebalan: 0,125''
—
—