Target sputtering silicon adalah material sumber padat dan rapat yang digunakan dalam proses physical vapor deposition (PVD), di mana atom dilepaskan dari permukaan target dan diendapkan pada substrat untuk membentuk lapisan tipis. Varian tipe-N ini didoping dengan pengotor donor elektron, sehingga cocok untuk penelitian lapisan tipis semikonduktor dan lapisan silicon terdoping. Material ini termasuk dalam golongan target sputtering yang digunakan di laboratorium material maju dan pengembangan lapisan tipis.
- 1 piece
Hubungi AMI Scientific untuk spesifikasi teknis, CoA, atau penawaran.
- Penelitian deposisi lapisan tipis untuk perangkat semikonduktor
- Pengembangan lapisan fotovoltaik dan sel surya
- Pembuatan prototipe mikroelektronika dan MEMS
- Studi lapisan optik dan pelindung
| Merek | — |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | — |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | — |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
—
—