Target sputtering silikon (silicon sputtering target) tipe-P dengan indium ini berbentuk cakram berdiameter 3'' dengan ketebalan 0,125'' dan kemurnian 99,999%. Target ini berfungsi sebagai sumber material pada sistem deposisi sputter, di mana atom dikikis dari target lalu diendapkan sebagai lapisan tipis pada substrat seperti wafer silikon.
Deposisi sputter dapat digunakan untuk beragam material serta substrat dengan bentuk dan ukuran yang bervariasi. Hasilnya dapat diulang, dan proses yang dikembangkan pada skala riset kecil dapat ditingkatkan ke batch produksi dengan area substrat menengah hingga besar. Bergantung pada kondisi proses, reaksi kimia dapat terjadi di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau pada substrat. Banyaknya parameter yang dapat diatur membuat teknik ini kompleks, namun memberi kendali yang tinggi atas pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan.
- Deposisi lapisan tipis silikon pada substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter (sputter etching) ketika dibutuhkan anisotropi etsa yang tinggi dan selektivitas tidak menjadi prioritas.
- Analisis material dengan spektrometri massa ion sekunder (SIMS), di mana sputtering dengan laju konstan memungkinkan pengukuran komposisi dan pengotor dalam konsentrasi sangat rendah.
- Penelitian terkait pelapukan luar angkasa (space weathering), yaitu perubahan permukaan benda tanpa atmosfer seperti asteroid dan Bulan akibat sputtering.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,999% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01SI33
- Material: Silikon (Si)
- Tipe: Tipe-P, indium
- Ukuran: 3''
- Ketebalan: 0,125''
- Kode produk: NG0ST01SI33
—
—