Target sputtering silikon (silicon sputtering target) tipe-P dari Nanografi ini merupakan bahan sumber dengan kemurnian 99,999% untuk pembuatan lapisan tipis (thin film) melalui proses sputtering. Target berukuran 8'' dengan ketebalan 0,125'' dan dipasok per satu keping.
Pada deposisi sputter, material dikikis dari permukaan target lalu diendapkan ke substrat, misalnya wafer silikon. Metode ini dapat diterapkan pada substrat dengan beragam bentuk dan ukuran, memberikan hasil yang konsisten, serta dapat ditingkatkan dari skala riset kecil hingga batch produksi dengan area substrat menengah sampai besar.
Tergantung parameter proses, reaksi kimia dapat berlangsung di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau di substrat. Banyaknya variabel memang membuat sputtering cukup kompleks, tetapi justru memberi kendali yang luas atas pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan.
- Deposisi lapisan tipis silikon pada substrat seperti wafer silikon.
- Sputter etching (etsa sputter) ketika dibutuhkan anisotropi etsa yang tinggi dan selektivitas tidak menjadi pertimbangan.
- Analisis material melalui pengikisan, misalnya pada spektrometri massa ion sekunder (SIMS), untuk menentukan komposisi dan mendeteksi pengotor dalam konsentrasi sangat rendah.
- Riset pelapukan antariksa (space weathering), yaitu proses sputtering yang mengubah sifat permukaan benda tanpa atmosfer seperti asteroid dan Bulan.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,999% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 keping |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01SI29
- Material: Silikon (Si)
- Tipe: Tipe-P
- Ukuran: 8''
- Ketebalan: 0,125''
—
—