Target sputtering titanium nitrida (titanium nitride sputtering target) ini berupa cakram berikat indium dengan kemurnian 99,5%, ukuran 3'' dan ketebalan 0,125''. Produk ini menjadi bahan sumber untuk deposisi lapisan tipis TiN di atas substrat seperti wafer silikon.
Pada deposisi sputter, material dikikis dari target lalu diendapkan pada substrat, dan metode ini dapat diterapkan pada berbagai bentuk serta ukuran substrat. Prosesnya dapat diulang dengan hasil konsisten dan mudah ditingkatkan dari skala riset dan pengembangan hingga batch produksi dengan area substrat menengah sampai besar.
Tergantung parameter proses, reaksi kimia dapat terjadi di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau di substrat. Banyaknya parameter memang membuat sputtering cukup kompleks, namun justru memberi keleluasaan kontrol atas pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan.
- Deposisi lapisan tipis titanium nitrida pada substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter (sputter etching) ketika dibutuhkan etsa yang sangat anisotropik dan selektivitas tidak menjadi prioritas.
- Analisis material melalui pengikisan, misalnya pada spektrometri massa ion sekunder (SIMS), untuk menentukan komposisi dan mendeteksi pengotor dalam konsentrasi sangat rendah.
- Penelitian terkait pelapukan antariksa (space weathering), ketika sputtering mengubah permukaan benda tanpa atmosfer seperti asteroid dan Bulan.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,5% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST02TI12
- Material: Titanium Nitrida (TiN)
- Ukuran: 3''
- Ketebalan: 0,125''
- Pengikatan: Indium
- Kode produk: NG0ST02TI12
—
—