Target sputtering titanium nitrida (titanium nitride sputtering target, TiN) ini tersedia dalam satu keping dengan kemurnian 99,5%, ukuran 4'' dan ketebalan 0,125'', dilengkapi indium. Target berfungsi sebagai sumber material pada sistem deposisi sputter: material yang terkikis dari target diendapkan sebagai lapisan tipis pada substrat, misalnya wafer silikon.
Teknik sputtering dapat digunakan untuk beragam material serta substrat dengan berbagai bentuk dan ukuran. Prosesnya mudah diulang, cocok untuk riset dan pengembangan skala kecil, dan dapat ditingkatkan ke produksi batch dengan area substrat menengah hingga besar.
Bergantung pada parameter proses, reaksi kimia dapat terjadi di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau di substrat. Banyaknya parameter membuat proses ini kompleks, namun memberi kendali yang luas atas pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan.
- Deposisi lapisan tipis pada substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputter (sputter etching) ketika dibutuhkan anisotropi etsa tinggi dan selektivitas tidak menjadi perhatian.
- Analisis material melalui pengikisan, seperti pada spektroskopi massa ion sekunder (SIMS), untuk menentukan komposisi dan mendeteksi pengotor berkadar sangat rendah.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,5% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 keping |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST02TI13
- Material: Titanium nitrida (TiN)
- Ukuran: 4''
- Ketebalan: 0,125''
- Bonding: Indium
—
—