Target sputtering tungsten oksida (tungsten oxide sputtering target) WO3 dari Nanografi ini menggunakan ikatan indium, dengan kemurnian 99,9%, ukuran 4'' dan ketebalan 0,125''. Target ini berfungsi sebagai bahan sumber untuk mendeposisikan lapisan tipis (thin film) melalui sputtering ke substrat seperti wafer silikon.
Deposisi sputtering dapat diterapkan pada substrat dengan berbagai bentuk dan ukuran serta memberikan hasil yang konsisten. Proses yang dikembangkan pada skala riset dapat ditingkatkan ke batch produksi dengan area substrat menengah hingga besar. Tergantung parameter proses, reaksi kimia dapat terjadi di permukaan target, selama perjalanan partikel, atau pada substrat.
Banyaknya parameter yang dapat diatur memungkinkan pengguna berpengalaman mengendalikan pertumbuhan dan mikrostruktur lapisan secara cermat.
- Deposisi lapisan tipis dengan mengikis material target ke substrat seperti wafer silikon.
- Etsa sputtering (sputter etching) ketika dibutuhkan anisotropi etsa tinggi dan selektivitas tidak menjadi prioritas.
- Analisis material seperti spektrometri massa ion sekunder (SIMS) untuk menentukan komposisi dan mendeteksi pengotor dalam konsentrasi sangat rendah.
- Penelitian terkait pelapukan antariksa (space weathering) yang mengubah sifat benda tanpa atmosfer seperti asteroid dan Bulan.
| Merek | Nanografi |
|---|---|
| Nomor CAS | — |
| Rumus molekul | — |
| Kemurnian | 99,9% |
| Kategori | — |
| Ukuran kemasan | 1 buah |
| Bentuk fisik | — |
| Penyimpanan | — |
- Kode produk: NG0ST01TU61
- Material: Tungsten Oksida (WO3)
- Ikatan: Indium
- Ukuran: 4''
- Ketebalan: 0,125''
- Kode produk: NG0ST01TU61
—
—